Caractérisation de l'interface métal-diélectrique par l'étude de l'impédance complexe des structures Al/CdS/Au obtenues par pulvérisation cathodique
Identifieur interne : 002A66 ( Main/Exploration ); précédent : 002A65; suivant : 002A67Caractérisation de l'interface métal-diélectrique par l'étude de l'impédance complexe des structures Al/CdS/Au obtenues par pulvérisation cathodique
Auteurs : A. Piel [France] ; H. Murray [France]Source :
- Thin Solid Films [ 0040-6090 ] ; 1978.
Abstract
L'étude de l'impédance complexe des structures pulvérisées Al/CdS/Au fournit un élement important de la connaissance des phénomènes d'interface pour des couches très minces d'épaisseur inférieure à 800 Å si les résultants expérimentaux sont interprétés à partir du modèle de Maxwell-Wagner. Nous avons en effet observé qu'un traitement thermique peut faire apparaître des zones semi- conductrices dont les épaisseurs sont inférieures à 300 Å. Les variations de conduction relevées en fonction de la température introduisent une énergie d'activation comprise entre 0,4 et 1 eV. Une étude comparative menée simultanément sur la restructuration de l'électrode de base et sur les variations de capacité montre la prédominance de l'état de surface du métal sur les propriétés d'interface. Ainsi, nous avons été conduits à définir une limitation de la température d'utilisation à 440 K, au delá de laquelle des phénomènes irréversibles modifient les propriétés spécifiques des cellules sandwich photovoltaïques.
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DOI: 10.1016/0040-6090(78)90057-3
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